В авангарде лазерных технологий

Фотоприёмные устройства


Фотоприёмные устройства

Фотоприемные устройства и модули предназначены для регистрации импульсного лазерного излучения с нормированием временного положения фронта импульса в устройствах и системах лазерной дальнометрии и локации ближнего ИК диапазона.

Продукты в категории

Предназначено для приема оптических сигналов длительностью от 10 нс до 30 нс в диапазоне длин волн 1,064 – 1,54 мкм и последующего формирования импульсов для систем связи, локации и дальнометрии.

На основе высокочувствительного германиевого ЛФД. Изготовлено с применением гибридно-интегральной технологии.

На основе высокочувствительного германиевого ЛФД. Изготовлено с применением гибридно-интегральной технологии.

На основе высокочувствительного германиевого ЛФД. Имеет встроенный источник вторичного питания и повышенную помехоустойчивость.

На основе высокочувствительного германиевого ЛФД. Изготовлено с применением гибридно-интегральной технологии.

На основе высокочувствительного германиевого ЛФД. Изготовлено с применением гибридно-интегральной технологии и имеет низкий профиль корпуса.

На основе высокочувствительного германиевого ЛФД. Имеет встроенный источник вторичного питания и несколько вариантов крепления.

На основе высокочувствительного германиевого ЛФД. Имеет встроенный источник вторичного питания, несколько вариантов крепления и расширенный температурный диапазон.

На основе высокочувствительного германиевого ЛФД. Имеет встроенный источник вторичного питания с пониженным входным напряжением.

На основе высокочувствительного германиевого ЛФД. Имеет встроенный источник вторичного питания с повышенным входным напряжением, встроенную подсветку и оптический функциональный контроль.

На основе высокочувствительного германиевого ЛФД.

На основе безлавинного фотодиода. Имеет миниатюрное исполнение.

На основе InGaAs лавинного фотодиода. Имеет высокую чувствительность, автоматическую адаптацию к уровню фона и встроенный источник вторичного питания.

На основе термостатированного InGaAs лавинного фотодиода.

На основе InGaAs лавинного фотодиода. Оптимизировано для работы с импульсами длительностью от 3 до 300 нс на длинах волн от 0,9 до 1,7 мкм.

На основе InGaAs pin фотодиода. Оптимизировано для работы с импульсами длительностью от 3 до 300 нс на длинах волн от 0,9 до 1,7 мкм.

Контактная информация отдела продаж

E-mail: market@polyus.info
Телефон: +7 905 737-72-58

Почтовый адрес
РФ, 117342, г. Москва,
ул. Введенского, д. 3, корп. 1
Телефон и факс
Телефон:
+7 495 333-91-44
Факс:
+7 495 333-00-03
Интернет
E-mail:
bereg@niipolyus.ru
Skype:
niipolyus